台积电拟1亿美元入股Arm！并拿下EUV掩模写入设备商10%股权！
摘要：9月13日消息，晶圆代工大厂台积电于12日开临时董事会，确定将以不超过1亿美元（约新台币31.95亿元）的额度，认购日本软银集团旗下的半导体IP大厂Arm 的普通股股票。至于认购价格，台积电表示将依Arm首次公开发行最终价格而定。9月13日消息，晶圆代工大厂台积电于12日开临时董事会，确定将以不超过1亿美元（约新台币31.95亿元）的额度，认购日本软银集团旗下的半导体IP大厂Arm 
半导体的曙光，三星涨价了！
历经漫长的行业下行周期，全球芯片市场终于迎来复苏时刻。媒体周二援引行业消息人士报道，三星电子近期与小米、Oppo和谷歌等签署了存储芯片供应协议，价格比现有的DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存芯片合同高出10-20%。消息人士称，三星电子还计划以更高价格，向该公司生产Galaxy系列智能手机的移动业务部门供应存储芯片。一位消息人士称：据我们了解，中国客户已经同意接受三星提高芯片价格的要求，
消息称三星电子手机存储芯片涨价 10~20％，客户包括小米、OPPO等
IT之家 9 月 13 日消息，芯片行业分析师表示，尽管 PC 芯片的需求仍然疲软，但内存芯片市场现在已经出现了复苏的迹象，特别是在移动 DRAM 芯片领域。据《韩国经济日报》，三星电子公司最近与其客户（包括小米、OPPO 和谷歌）签署了 DRAM 和 NAND 芯片供应协议，价格比其现有合同高出 10-20%。三星一位高管表示，该公司预计存储芯片市场的供需平衡最早将在今年第四季度向供应
继三星涨价之后，传美光也将对NAND Flash晶圆合约价调涨10%
摘要：9月5日，天风国际分析师郭明錤发文称，继三星在8月份涨价后，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。9月5日，天风国际分析师郭明錤发文称，继三星在8月份涨价后，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。郭明錤分析称，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24开始受益于三个趋势，包括英特尔
最新报告：NAND价格触底，已有客户甚至接受35%的价格上涨【附存储芯片市场竞争格局分析】
图片来源：摄图网近日，摩根士丹利在最新《AI产业追踪》报告中指出，存储厂商群已进入英伟达AI服务器供应链，其Re-timer产品采用PCI-E GEN 5规格，每颗报价20-30美元，预计明年上半年将正式获得采用。另外，由于NAND价格已触底，群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。近年来，全球存储芯片市场呈现稳步增长的趋势。随着云计算、物
芯片战场丨英伟达身后的较量：存储巨头争夺HBM
21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道在英伟达一步步站稳万亿市值的道路上，少不了两项关键技术支持——台积电主导的CoWoS高端封装和头部存储厂持续迭代的HBM（高带宽存储）。英伟达近日发布的新一代GH200 Grace Hopper超级芯片中，就指出将搭载282GB最新HBM3e内存技术的单服务器。预计将在2024年第二季度交付基于该平台的系统。HBM也成为力挽存储厂商持续下行的一个关键词。数个季度
美光将于2025年量产1-gamma制程DRAM
摘要：9月4消息，据中国台湾媒体报道，中国台湾美光董事长卢东晖近日接受采访时表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在中国台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程，是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术，将在 2025 年上半年先在台中厂量产。9月4消息，据中国台湾媒体报道，中国台湾美光董事长卢东晖近日接受采访时表示，美光有多达 65% 的DRAM产品在中国台湾生
SK海力士开发出新HBM3E内存：用于AI行业
DoNews8月21日消息，SK 海力士 21日宣布，成功开发出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM
