消息称三星和 SK 海力士改进 HBM 封装工艺，即将量产 12 层产品
IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回
Intel四大先进封装技术：既能盖“四合院” 也能建“摩天楼”
随着半导体制程工艺提升越来越困难，先进封装技术的重要性则愈发凸显，成为延续摩尔定律的关键。Intel就一直在深入研究各种先进封装技术，部分已经得到广泛应用，比如EMIB、Foveros，部分已经准备就绪，比如Foveros Omni、Foveros Direct。此前，我们也曾经对这些先进封装技术进行过深入解读。现在，Intel通过形象的动图，诠释了几种封装技术的原理和特点。其实，处理器虽然封装最
长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
摘要：2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3DNAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND
